У межах модельних уявлень про формування осцилюючого дифузійного шару товщиною <$Ed sub f ~=~sqrt {D "/" omega }> (D - коефіцієнт дифузії, <$Eomega~=~2 pi f> - кутова частота, f - частота) та дифузійного шару Нернста товщиною d виконано аналіз імпедансу приелектродного шару обмеженої товщини. Показано, що зі збільшенням товщини дифузійного шару Нернста імпеданс приелектродного шару зростає. Наведено кількісну оцінку фазового кута дифузійного імпедансу залежно від частоти за різних товщин дифузійного шару. Дифузія зумовлює запізнення по фазі відносно струму зміни поверхневої концентрації електроактивних частинок. Зсув фази між струмом і поверхневою концентрацією є функцією осцилюючої довжини df та товщини дифузійного шару Нернста d.

• Потоцька Валентина Василівна (хімічні науки)
• Гічан Ольга Іванівна (фізико-математичні науки)
• Скриптун Ігор Миколайович (хімічні науки)
• Омельчук Анатолій Олександрович (економічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"