Nepijko S. A. Investigation of nanostructure phase composition and field emission properties in the Ge/Si(100) system / S. A. Nepijko, A. A. Sapozhnik, A. G. Naumovets, Yu. N. Kozyrev, M. Klimenkov, S. I. Protsenko, L. V. Odnodvorets, I. Yu. Protsenko // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2016. - 8, № 4 (ч. 2). - С. 04067-1-04067-4. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.We analyzed the Ge/Si(100) phase composition based on existing literature data and results obtained with high-resolution electron microscopy method. The research confirms formation of solid solutions Ge(Si) in the Ge film and the Si(Ge) in the Si (100) substrate, which are separated by a thin pseudomorphic layer. This conclusion can correctly interpret the phase composition of the heterostructure based on Ge and Si. An array of tips developing on the interface with the tip density of the order 10<^>14 m<^>-2 was visualized. The emission properties of the tips were studied, including electric field strength near their peaks reaching 10<^>9 V/m, which causes cold emission. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|