Розглянуто напружену наногетеросистему InAs/GaAs зі сферичними квантовими точками InAs. Показано, що в даній системі існують деформаційні поля, які виникають на межі розподілу квантова точка-матриця і призводять до підсилення поляронних ефектів у порівнянні з недеформованими матеріалами. Розраховано енергію зв'язку деформаційного електронного полярона в напруженій наногетеросистемі InAs/GaAs. Встановлено, що деформація матеріалів квантової точки і матриці призводить до збільшення енергії зв'язку електронного полярона.

• Пелещак Роман Михайлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"