![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000663948<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Верховлюк А. М. Кремний полупроводниковый: технологии и перспективы / А. М. Верховлюк, И. Ф. Червоный // Процессы литья. - 2017. - № 3. - С. 55-82. - Библиогр.: 63 назв. - рус.Представлены технологии получения монокристаллического кремния различными методами. Показано, что образование структурных дефектов в кремнии при воздействии теплового поля связано с диффузионными процессами. При радиационной обработке монокристаллов определяющее влияние надефектообразование оказывает присутствие примесей, а именно углерода и кислорода. Использование эффекта туннельной кристаллизации обеспечивает устранение влияния примесей в монокристаллах и создает условия их роста с равновесным распределением дефектов. Індекс рубрикатора НБУВ: К345.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14475 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|