Досліджено електричні властивості напівізолювальних кристалів CdTe - Cl, вирощених за допомогою вертикального методу Бріджмена (ВМБ) і методу рухомого нагрівника (МРН). Встановлено, що МРН забезпечує електронну провідність, а ВМБ - діркову. За 300 К питомий опір зразків становить <$E rho~=~(10 sup 8~-~10 sup 9 )> Ом x см, холлівська рухливість: дірок <$E mu sub roman p~=~(45~-~55)> см<^>2/В-с, електронів <$E mu sub roman n~symbol Ы~(10~-~20)> см<^>2/В-с. Дуже низькі значення та експоненційна температурна залежність <$E mu sub n> зумовлені дрейфовими бар'єрами з висотою <$E epsilon sub roman b~symbol Ы~0,20> еВ. Формування останніх пов'язане з флуктуаціями потенціального рельєфу за рахунок мікронеоднорідностей дефектно-домішкової системи. Крім того, в зразках n-CdTe - Cl мають місце квазіфотохімічні реакції, що полягають у зменшенні рухливості електронів після фотозбудження. В зразках p-CdTe - Cl не виявлено ні дрейфових бар'єрів, ні квазіфотохімічних реакцій.

• Фочук Петро Михайлович (хімічні науки)
• Дремлюженко Сергій Григорович (хімічні науки)
• Рудик Богдан Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"