Іващишин Ф. О. Особливості властивостей наногібридів GaSe(InSe)<2)2>>, синтезованих у полі світлової хвилі / Ф. О. Іващишин, І. І. Григорчак, О. В. Балабан // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2016. - 8, 4 (ч. 1). - С. 04015-1-04015-6. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.Запропоновано новий технологічний підхід до синтезу мультипошарових наноструктур, який забезпечує підсилення їх сенсорних властивостей і можливість застосування для ефективного неелектрохімічного акумулювання електричної енергії. Показано, що поле світлової хвилі, накладене у процесі формування наногібридів, помітно впливає на викликані інкапсуляцією тіосечовини зміни імпедансу, спектру струмів термостимульованої деполяризації (ТСД), тангенса кута електричних втрат (<$Etg delta>) і діелектричної проникності (<$Eepsilon>). В результаті стало можливим застосувавання наногібриду GaSe(InSe)<2)2>> як високоефективної структури фотоварікапу, а також накопичення енергії на квантовому рівні в інфранизькочастотному діапазоні. Крім цього, в ньому виявлено колосальний від'ємний фотоємнісний ефект і появу електрорушійної сили у постійному магнітному полі (ефект "spin battery"). Індекс рубрикатора НБУВ: Ж620 + В371.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|