Підхід до формування необхідної геометрії штучного низькотемпературного плазмового середовища імпульсних засобів радіотехніки та телекомунікацій. Встановлено залежність енергетичних параметрів від тиску газу та кількості електродів у тліючому розряді, як інертних, так і молекулярних газів. Для будь-якого варіанта конструкції плазмового пристрою, матеріалу катода та роду газу, визначено граничний тиск формування низькотемпературного плазмового середовища засобів телекомунікацій.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Шефер Олександр Віталійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"