Цель работы - исследование взаимодействия некоторых природных и полусинтетических поверхностно-активных веществ (ПАВ) с поверхностью полупроводниковых структур на основе нанопористого кремния (нано-ПК). Образцы нано-ПК с высоким уровнем легирования (КтС-0,01) были получены с помощью метода анодного электрохимического травления монокристаллического кремния в электролите на основе 48 %-ного водного раствора фтористо-водородной кислоты. Низкое сопротивление контактов определялось отжигом (<$E450~symbol Р roman C>) образцов нано-ПК с нанесенными на них алюминиевыми контактами. Детектирование проводили для биосурфактантов: саркозила (натрий лаурилсаркозин), рамнолипида (рамнозо- ди beta-гидроксидеканоеновая кислота) и циклогептадекановой кислоты. Изучено взаимодействие биосурфактантов с поверхностью нано-ПК. Показано, что эти соединения существенно влияют на вольтамперные характеристики (ВАХ) образцов нано-ПК. В рамках адсорбционной модели объяснено взаимодействие исследованных ПАВ с нано-ПК. Изменение ВАХ образцов нано-ПК при нанесении супрамолекулярных объектов связано с наполнением нанопор этими макромолекулами, обладающими значительной диэлектрической проницаемостью. Показано, что влияние изученных ПАВ на электрические параметры нано-ПК имеет характерные особенности для каждого из исследованных соединений, что позволяет дифференцированно идентифицировать различные ПАВ сенсорами на основе нано-ПК. Вывод: физическая причина изменения ВАХ образцов нано-ПК при нанесении биосурфактантов связана с наполнением нанопор кремния мультиламеллярными структурами ПАВ. Сложный вид ВАХ при адсорбции саркозила, рамнолипида, циклогептадекановой кислоты определяется гетеропереходами между планарными алюминиевыми контактами и наноструктурами кремния, и изменениями в области микробарьеров, сформированных между нитевидными кристаллами поверхности нано-ПК.

• Волювач Ольга Вячеславівна (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"