Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000670588<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Пархоменко Г. П. Вплив обробки поверхні Si на електричні властивості гетероструктур p-NiO/n-Si / Г. П. Пархоменко, М. М. Солован, П. Д. Мар'янчук // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2017. - 9, № 3. - С. 03024-1-03024-4. - Бібліогр.: 21 назв. - укp.Виготовлено гетероструктури p-NiO/n-Si за допомогою методу реактивного магнетронного напилення тонких плівок оксиду нікелю на підкладки з кристалів n-Si. Показано вплив обробки підкладок Si на електричні властивості гетероструктур. Досліджено їх темпові вольтамперні характеристики за кімнатної температури. Встановлено, що основними механізмами струмопереносу за прямому зміщення є багатоступінчатий тунельний механізм струмопереносу за участю поверхневих станів на межі поділу p-NiO/n-Si і тунелювання, за зворотних зміщень - тунелювання та емісія Френкеля - Пула. Індекс рубрикатора НБУВ: К663.03-1 + В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|