Экспериментально исследована возможность создания детекторов радиации на основе полевых транзисторов. В качестве информационного параметра выбран ток насыщения транзистора. По данным эксперимента наблюдается уменьшение тока насыщения стока полевых транзисторов с p - n-переходом в качестве затвора после радиационного облучения. В МОП полевых транзисторах при радиационном дефектообразовании конкурируют 2 эффекта, поэтому результат радиационного воздействия значительно зависит от электрофизических свойств транзисторов до облучения и от поглощенной дозы облучения. Показано, что начиная с определенных значений поглощенной дозы облучения у всех образцов с малыми значениями концентрации электронов в канале ток насыщения увеличивается с увеличением поглощенной дозы облучения, а у всех образцов с большими значениями концентрации электронов в канале - уменьшается. Полученные зависимости тока насыщения стока полевых транзисторов от дозы радиационного облучения позволили разработать простую конструкцию детектора малых уровней радиации. Для уменьшения влияния температурных флуктуаций в датчике использована схема измерительного моста. Путем использования двух пар полевых транзисторов с противоположным знаком радиационной чувствительности чувствительность такого детектора увеличивается в несколько раз.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"