Дмитрієв В. С. Оптимізація режимів формування інжектуючих бар'єрних переходів на основі срібла до арсеніду галію / В. С. Дмитрієв // Вісн. Вінниц. політехн. ін-ту. - 2017. - № 4. - С. 88-92. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.Процеси, які відбуваються при взаємодії металів з напівпровідниковими сполуками А3В5, є предметом інтенсивних досліджень, які підтвердили складність процесів, котрі протікають у контактах на межі розподілу фаз. Досліджено умови виготовлення та режими термічної обробки контакту Ag/n-n<^>+GaAs. Визначені: температура підкладки; температура відпалу, час відпалу; швидкість підвищення температури відпалу та охолодження для отримання бар'єрного переходу Ag/n-n<^>+GaAs з висотою бар'єра 0,98 В. Підвищення висоти потенційного бар'єра пов'язане з поліпшенням адгезії плівок, а також початком взаємної дифузії хімічних елементів срібла, галію та миш'яку, що утворюють контакт. Індекс рубрикатора НБУВ: К751.12 + З843.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж68690 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|