За допомогою методів функціоналу електронної густини та псевдопотенціалу із перших принципів одержано просторові розподіли густини валентних електронів, густини електронних станів, ширини валентних та заборонених зон, заряди на атомних остовах, кулонівські потенціали вздовж обраних напрямків у бічних пленарних переходах графен/графан, графен/флюрографен та графен/хлорографен. Зафіксовано області з різними величинами просторового заряду в бічних планерних переходах графен/графан, графен/флюрографен та графен/хлорографен, що є причиною виникнення на переходах потенціальних бар'єрів. Функціоналізація графену різними адсорбатами змінює рельєф розподілу кулонівського потенціалу з ізотропного на анізотропний. Найбільший скачок в рельєфі потенціалу зафіксовано у планарному переході графен/графан. Визначено ширини заборонених зон бічних пленарних переходів графен/графан, графен/флюрографен, графен/хлорографен, найбільше значення серед яких належить переходу графен/графан.

• Балабай Руслана Михайлівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"