Точность основных качественных показателей барьерных переходов (высота барьера <$Ephi sub b> и фактор неидеальности <$Eeta>) зависит от точности измерения тока и напряжения и от метода их определения. Рассмотрены и апробированы методы определения высоты барьера Шоттки по вольтамперным характеристикам на примере барьерных переходов Ag/n-n<^>+GaAs, изготовленных при разных режимах термообработки. Установлено, что наиболее простым в реализации является метод расчета параметров вольтамперных характеристик по методу Rhoderick. однако он не учитывает последовательное сопротивление, из-за чего могут возникать дополнительные ошибки при определении участка вольтамперной характеристики, где этим влиянием пренебрегают. Установлено, что наиболее точным методом является метод direct approximation, учитывающий влияние последовательного сопротивления при расчете фактора неидеальности и высоты барьера Шоттки.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"