Наведено емпіричну модель спектральної залежності розподілу щільності електронних станів, яка охоплює основні особливості аморфного кремнію. Показано вплив ступеня розупорядкованості аморфної структури на форму і величину хвостів електронних станів валентної зони та зони провідності. Ці хвости в забороненій зоні впливають на багато унікальних властивостей аморфних напівпровідників. Результати можуть бути застосовані для оптимізації технології та моделювання роботи багатьох приладів на основі аморфного кремнію (сонячних елементів, транзисторів та ін).

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"