Kutovа O. H2O2 sensor based on MOSFET with active back-gate part of substrate = Cенсор перекису водню на основі МДН-транзистора з активним шаром в області підкладки / O. Kutovа, M. Dusheykо, T. Оbuhovа, N. Maksimchuk, T. Borodinovа, V. Тimofeev // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. - 2017. - 14, № 4. - С. 5-12. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.Проведено дослідження сенсорів H2О2 на основі МДН-транзисторів з шаром пористого кремнію та каталізатором перекису водню (наночастинками платини) на зворотній стороні підкладки в області затвору. Модифікація тильної сторони сенсора виконувалася шляхом метал-стимульованого хімічного травлення. Проведено аналіз пористої структури, вимірювання розміру наночастинок платини та їх вплив на чутливість сенсора. На основі апроксимації вольтамперних характеристик при різних концентраціях перекису водню обчислено чутливість сенсора, що складає не менше 0,135 мкА/ppm. Розраховано енергетичну активність реакції каталітичного розпаду H2О2 та її вплив на результати експерименту. Індекс рубрикатора НБУВ: Г4с3
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|