Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000673416<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Zainabidinov S. Influence of deep-level impurities on the strain electric properties of monocrystalline silicon = Вплив домішок з глибокими рівнями на тензоелектричні властивості монокристалічного кремнію / S. Zainabidinov, O. O. Mamatkarimov, O. Khimmatkulov, I. G. Tursunov // Укр. фіз. журн.. - 2017. - 62, № 11. - С. 951-954. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.Ефект п'єзорезистентності досліджено в компенсованих і термічно оброблених зразках Si: Zn і Si: Zn, Mn за одновісного пружного стискування. Показано, що цей ефект зумовлений змінами концентрації та рухливості носіїв струму. Аномальні зміни рухливості носіїв за стиску навколо кристалографічної осі [111] пов'язані зі зміною їх розсіювання на великомасштабних утвореннях дефектів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|