Рассмотрены особенности химико-динамического полирования полупроводников типа A<^>IIIB<^>V травильными композициями (NH4)2Cr2O7 - HBr - C6H8O7 с использованием C6H8O7 разной исходной концентрации. Установлено, что исследуемые бромвыделяющие смеси характеризуются низкими скоростями травления. Проведен сравнительный анализ влияния изменения состава травильных растворов с разной исходной концентрацией лимонной кислоты на параметры химического взаимодействия кристаллов с травителями и качество получаемой поверхности. Установлено, что увеличение концентрации C6H8O7 в составе травителя способствует уменьшению скорости растворения полупроводников от 7,5 мкм/мин до 0,1 мкм/мин. Минимальные значения скоростей травления достигаются при максимальном насыщении смеси органическим компонентом (80 об.%), независимо от его исходной концентрации. Сравнительный анализ экспериментальных результатов свидетельствует о том, что травители на основе (NH4)2Cr2O7 - HBr - C6H8O7 с 20 % исходной концентрацией C6H8O7 (по сравнению с 40 %) характеризуются большими скоростями травления и могут быть использованы для качественной финишной обработки кристаллов InAs, InSb, GaAs и GaSb. Установлено, что расположение областей полирующих и неполирующих травильных композиций не зависит от изменения исходной концентрации лимонной кислоты. Полирующая область находится в пределах 2 - 22 об.% (NH4)2Cr2O7, 10 - 98 об.% HBr и 0 - 80 об. % лимонной кислоты для InAs и GaAs, а для кристаллов InSb и GaSb - 2 - 19 об.% (NH4)2Cr2O7, 10 - 98 об.% HBr, 0 - 80 об.% C6H8O7. Область неполирующих растворов присуща только антимонидам. Показано, что полирование травителями состава (NH4)2Cr2O7 - HBr - C6H8O7 с использованием 20 % C6H8O7 эффективнее уменьшает структурные нарушения полупроводников.

• Маланич Галина Петрівна (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"