Lytovchenko V. G. Preparation and study of porous Si surfaces obtained using the electrochemical method / V. G. Lytovchenko, T. I. Gorbanyuk, V. P. Kladko, A. V. Sarikov, N. V. Safriuk, L. L. Fedorenko, S. Asmontas, J. Gradauskas, E. Sirmulis, O. Zalys // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 4. - С. 385-395. - Бібліогр.: 28 назв. - англ.Review of original results concerning electrochemical formation of porous Si layers and investigation of properties inherent to the formed layers has been presented. The results related with observation of changes in pores' morphology depending on the etching conditions, correlation of morphology of the porous layers with their surface composition, photoluminescence and structural characteristics, catalytic activity of porous Si based MIS structures as well as theoretical modeling of the kinetics and mechanisms of the porous Si growth have been described. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|