Досліджено вплив різних режимів термообробки на кінетику електронних процесів у кристалах кремнію, легованих домішкою фосфору через розплав і методом ядерної трансмутації. Встановлено найбільш значний вплив охолодження за проміжного значення швидкості охолодження (15 <^>oC/хв) після високотемпературного відпалу на основні електрофізичні параметри трансмутаційно легованих кристалів <$E roman {n-Si~symbol ... P symbol ъ}>. Виявлено і пояснено особливості змін параметрів анізотропії рухливості та термоерс, виміряних на кристалах кремнію різних способів легування, як у вихідному стані, так і після високотемпературного відпалу за використання різних швидкостей охолодження.

• Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"