Проаналізовано перспективи застосування магніторезистивних структур на основі напівпровідникових кристалів типу InSe для прецизійного вимірювання магнітного поля. Розглянуто можливість застосування сенсорів магнітного поля на основі структури InSe для виявлення військової бронетехніки. Досліджено вплив домішок металів на шарувату структуру напівпровідникового матеріалу як на сильний ковалентний зв'язок всередині шару, так і на слабкий ван-дер-ваальсовий зв'язок у міжшаровому просторі. Проаналізовано діаграми Боде для кристала InSe з домішками нікелю за різних температур - від кімнатної до температури рідкого азоту. Топологічні знімки поверхонь InSe з використанням методики атомно-силової спектроскопії підтверджують його шарувату структуру.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"