Бардашевська С. Д. Напівпровідникові квантові точки як матеріали для лазерів на їх основі / С. Д. Бардашевська, І. М. Будзуляк, С. І. Будзуляк, Б. І. Рачій, А. М. Бойчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - 19, № 2. - С. 113-129. - Бібліогр.: 61 назв. - укp.Квантові точки (КТ) на сьогодні належать до центральних об'єктів досліджень багатьох наукових груп. Вивчення властивостей структур малих розмірів є важливим як для подальшого розвитку електроніки, так і для вдосконалення вже існуючих напівпровідникових приладів. На сьогодні є багато методів отримання КТ за лабораторних умов: метод ультразвукового подрібнення, молекулярно-променевої епітаксії, імпульсної лазерної абляції, а також за допомогою таких методів хімічного синтезу, як металорганічний синтез, синтез у зворотніх міцелах, сольвотермальний синтез , золь-гель синтез, синтез з використанням тіол-стабілізаторів, синтез у неводному середовищі. Найбільш перспективними на даний момент є методи, засновані на використанні явища самоорганізації. Це методи молекулярно-променевої епітаксії та колоїдної хімії, причому останнім методом можна синтезувати кристали, які мають розмір декілька нанометрів і в яких ширина забороненої зони та енергія максимуму піку люмінесценції, визначаються розміром частинок. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|