Бахтінов А. П. Фотоелектричні властивості нанокомпозитних іонотронних структур, сформованих на основі 2D шаруватого напівпровідника InSe та іонної солі RbNO3 / А. П. Бахтінов, В. М. Водоп'янов, В. І. Іванов, З. Д. Ковалюк, І. Г. Ткачук, В. В. Нетяга, О. С. Литвин // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 1. - С. 01020-1-01020-7. - Бібліогр.: 23 назв. - укp.Досліджено зв'язок між морфологією, хімічним складом і фотоелектричними властивостями вертикальних іонотронних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпровідника InSe та іонної солі RbNO3. Встановлено, що максимальну фоточутливість мають наноструктури, які складаються з 2D шарів InSe, ультратонких шарів оксиду In2O3 і кільцевих наноструктур іонної солі, які розташовані в площинах (0001) кристалу InSe періодично вздовж його кристалічної вісі C. Встановлено зв'язок між морфологією гетерограниць і спектральним розподілом фотопровідності для іонотронних наноструктур, сформованих на основі кристалів GaSe і InSe і іонних солей MeNO3 (Me = K, Rb). Досліджено імпедансні спектри, спектральний розподіл фоточутливості та морфологію поверхонь вертикальних іонотронних структур, сформованих на основі 2D шаруватого напівпровідника n-InSe та іонної солі RbNO3. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж364.2 + В371.21 + В379.271.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|