![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000687120<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Сльотов М. М. Гетерошари анізотропного alpha-ZnSe для фотосенсорів / М. М. Сльотов, В. В. Мельник, О. М. Сльотов // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. - 2018. - 15, № 2. - С. 20-27. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.Досліджено оптичні, люмінесцентні й електричні властивості гетерошарів <$Ealpha>-ZnSe, одержаних за методом ізовалентного заміщення. Встановлено високий квантовий вихід люмінесценції <$Eeta~=~10~-~12~%> у короткохвильовій області. Виявлено домінуючу роль анігіляції екситонів і міжзонних переходів вільних носіїв заряду. Виготовлено поверхнево-бар'єрні структури Ni-<$Ealpha>-ZnSe, спектральна область фоточутливості яких становить <$Eh bar omega~=~2,70~-~3,75> еВ. Гексагональна модифікація структури одержаних гетерошарів зумовлює їх поляризаційні властивості відбивання і фоточутливості. Індекс рубрикатора НБУВ: З854
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|