За допомогою методів поверхневої фотоерс, FTIR-спектроскопії та вимірювання частотних залежностей діелектричної проникності проведено дослідження структури типу "кремнієва підкладка/нанокомпозитний епоксидно-полімерний шар". Виявлено, що нанесення на кремнієву підкладку нанокомпозитної плівки на основі епоксидної смоли з порошком SiO2 зумовлює зменшення амплітуди фотоерс з одночасним сповільненням її релаксації. Одержані дані пояснено у припущенні, що взаємодія карбонільних і гідроксильних груп зв'язувана з активними центрами наповерхні частинок SiO2 і встановлення SiO та SiN зв'язків на поверхні кремнію змінює умови рекомбінації носіїв заряду та вигин зон у приповерхневому шарі Si.

• Подолян Артем Олександрович (фізико-математичні науки)
• Надточій Андрій Борисович (фізико-математичні науки)
• Коротченков Олег Олександрович (1958–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"