Matveev D. Yu. Structure features of bismuth films doped with tellurium / D. Yu. Matveev, D. V. Starov, E. V. Demidov // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 2. - С. 02047-1-02047-3. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.The influence of doping degree on the structural characteristics of bismuth films doped with tellurium in the concentration range 0,005 - 0,150 at. % Te and the thickness range 0,3 - 0,7 pm is studied at present article. Authors have established that an increase of the doping degree with tellurium in bismuth films leads to a significant decreasing of the growth figures. The weak influence of annealing on the crystallite size of bismuth films doped with tellurium indicates their high temporal stability of the structure. Індекс рубрикатора НБУВ: К232.902.6 + В378.221 + В378.26
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|