С помощью методов просвечивающей электронной микроскопии, электронной дифракции, малоугловой рентгеновской дифракции и вторичной ионной масс-спектрометрии исследован механизм взрывной кристаллизации аморфных пленок кобальта, выращенных на аморфном углероде по методу магнетронного (на постоянном токе) распыления. Установлено, что работающий C-магнетрон во время осаждения слоя кобальта, а также уменьшение скорости осаждения кобальта приводят к увеличению номинальной толщины кобальтового слоя tCo,ном, при которой он находится в аморфно-кластерном состоянии с небольшой долей нанокристаллической фазы кобальта. Увеличение номинальной толщины кобальта до граничной <$Et sub гр ~symbol @~5,0> нм приводит к возникновению кристаллических областей, характерных как для обычной кристаллизации (зерен с дефектами упаковки), так и обширных областей с осью зоны [0001], характерных для взрывной кристаллизации (без дефектов упаковки). Увеличение номинальной толщины существования аморфно-кластерной фазы до критической <$Et sub кр ~symbol @~6,0> нм сопровождается кристаллизаций кобальта по механизму взрывной кристаллизации, в результате которой образуется высокотекстурированная пленка ГПУ-Co с осью [0001], перпендикулярной к подложке.

• Кондратенко Валерій Володимирович (фізико-математичні науки)
• Севрюков Дмитро Володимирович (хімічні науки)
• Севрюкова Вікторія Анатоліївна (фізико-математичні науки)
• Гарбуз Олександр Сергійович (фізико-математичні науки)
• Сабов Томаш Мар'янович (фізико-математичні науки)
• Мельник Віктор Павлович (1963–) (фізико-математичні науки)
• Мельник Володимир Петрович (юридичні науки)
• Мельник Валентин Павлович (технічні науки)
• Мельник Володимир Петрович (1952–) (філософські науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"