Berkutov I. B. The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied / I. B. Berkutov, V. V. Andrievskii, Yu. A. Kolesnichenko, Yu. F. Komnik, O. A. Mironov // Физика низ. температур. - 2018. - 44, № 8. - С. 1018-1024. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.The charge carrier overheating effect was studied in the p-type Si0,4Ge0,6/Ge/Si0,4Ge0,6 heterostructure with two subband occupy. The temperature dependences of hole-phonon relaxation time <$E tau sub {h- roman ph}> at weak magnetic fields demonstrated transition of the 2D system from regime of "partial inelasticity" characterized by dependence <$E tau sub {h- roman ph} sup -1~symbol Х~T sup 2> to regime of small-angle scattering, described by dependence <$E tau sub {h- roman ph} sup -1~symbol Х~T sup 5> with temperature increase. But in higher magnetic fields the dependence <$E tau sub {h- roman ph} sup -1~symbol Х~T sup 3> manifests itself on dependences <$E tau sub {h- roman ph} (T sub {h- roman ph})>. The possible explanations of such dependences are discussed. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.273
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|