Моисеев А. Г. Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения / А. Г. Моисеев, Я. С. Гринберг // Физика низ. температур. - 2018. - 44, № 8. - С. 1052-1057. - Библиогр.: 24 назв. - рус.Проведено исследование однофотонного сверхизлучения при циклотронном резонансе в идеальной монокристаллической полупроводниковой пленке p-типа с кубической структурой, помещенной в однородное статическое сильное магнитное поле, перпендикулярное к поверхности пленки. Рассмотрение проведено при низкой температуре, когда плотность дырок на уровне Ландау n = 0 равна максимально возможной величине, а плотность дырок на уровне Ландау n = 1 равна нулю. С помощью уравнения Линдблада для матрицы плотности рассчитана плотность тока в пленке и исследованы параметры электромагнитного поля излучения пленки в режиме насыщения, когда напряженность электрического поля возбуждения велика. Показано, что универсальная мощность потерь, приходящаяся на единицу площади пленки, зависит только от фундаментальных постоянных c, qe, me и индукции магнитного поля. Приведен расчет проводимости пленки. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.271.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|