Птащенко О. О. Вплив рівня легування на газову чутливість кремнієвих p-n переходів / О. О. Птащенко, Ф. О. Птащенко, В. Р. Гільмутдінова, О. С. Кирничук // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 3. - С. 03022-1-03022-6. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.Експериментально досліджено характеристики кремнієвих дифузійних p-n переходів як сенсорів парів води і аміаку в широкому діапазоні значень градієнта концентрації домішок а. Встановлено, що зменшення величини а від <$E6~cdot~10 sup 23> см<^>-4 до <$E5~cdot~10 sup 19> см<^>-4 знижує поріг чутливості Ря />л структур до парів NH2 (тобто, мінімальний парціальний тиск парів, який можна зареєструвати) на два порядки, до значень біля 0,5 Па. Ця величина значно нижча, ніж у мембран із мезопористого кремнію і кремнієвих нанодротів, виготовлених із пластин з концентрацією домішки бору 10<^>18 см<^>-3. Розкид порогу чутливості серед досліджених зразків пояснено впливом неконтрольованнх поверхневих центрів. Обробка зразків послідовно у HF і воді різко підвищує поріг чутливості, а витримка у водному розчині Na2S значно знижує його. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|