РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000689901<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Круковський С. І. 
Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОС-гідридної епітаксії / С. І. Круковський, Г. А. Ільчук, Р. С. Круковський, І. В. Семків, Е. О. Змійовська, С. В. Токарєв // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 3. - С. 03025-1-03025-5. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.

Наведено методику формування гетероструктури nGaAs\pAlGaAs\p<^>+GaAs за допомогою методу МОС-гідридної епітаксії в температурному діапазоні <$E630~-~700~symbol Р roman C>. Проведено дослідження розподілу концентрації носіїв заряду по товщині епітаксійннх шарів n-GaAs легованих кремнієм та концентрації AlAs по товщині шару твердого розчину AlxGa1-xAs. Показано високу структурну досконалість одержаних епітаксійних шарів варізонної структури. Створено сонячний елемент з активною площею 1 см<^>2. Показано, значення коефіцієнта корисної дії (<$Eeta~=~25,37~%>) одержаного сонячного елемента, не є вищим від такого значення для елементів на основі GaAs.


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.33 + З854

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського