Наведено результати системного експериментального дослідження за методами: дифракції повільних електронів (ДПЕ), скануючої тунельної мікроскопії та скануючої тунельної спектроскопії (СТМ/СТС), а також атомно-силової мікроскопії та спектроскопії (АСМ/АСС), з врахуванням їх унікальних можливостей всестороннього, глибокого аналізу поверхонь шаруватих кристалів (ШК) In4Se3. Системне дослідження наноструктурованих напівпровідникових анізотропних матриць - поверхонь сколювання (ПС) (100) ШК In4Se3 проведено з метою їх використання для одержання наносистем на основі їх ПС. Досліджено вплив дефектів різної природи (точкових, лінійних, макродефектів) міжшарових (ПС)(100) ШК In4Se3 на їх топографію та локальну густину поверхневих електронних станів (ЛГПЕС), а також на їх електронно-енергетичну структуру. Встановлено, що для всіх ШК із різною концентрацією дефектів має місце їх значний вплив на ЛГПЕС та електронно-енергетичну структуру міжшарових ПС. Показано унікальні експериментальні можливості СТМ/СТС, АСМ/АСС щодо дослідження топографії ПС, поряд з одержаними, з їх використанням, широкого ряду результатів спектроскопії анізотропних наноструктурованих ПС (100) напівпровідникових ШК In4Se3.

• Галій Павло Васильович (фізико-математичні науки)
• Мазур Петро Володимирович (технічні науки)
• Ненчук Тарас Миколайович (фізико-математичні науки)
• Яровець Ігор Романович (фізико-математичні науки)
• Дверій Остап Романович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"