РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІНАДХОДЖЕННЯ |
ПОШУК
|
РУБРИКАТОР
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000691024<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
Arjimand Ashraf An analytical modeling of drain current for single material surrounded gate nanoscale SOI MOSFET / Arjimand Ashraf, Prashant Mani // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 4. - С. 04012-1-04012-5. - Бібліогр.: 15 назв. - англ. In thus paper, we have presented modeling of dram current for single material surrounded gate SOI MOSFET (SMG SGT SOI MOSFET) whose channel length is 40 nm. We have studied the behavior of deuce by varying various device parameters in Linear. Saturation, and Sub-threshold regions. We have also presented a drain current model incorporating DIBL. The comparison between previously presented model with channel length = 50 nm and our scaled model is also presented in various regions of device operation. Індекс рубрикатора НБУВ: З841-01 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" | |||
| Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
 |
| Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів |
 |
| Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського