На основе квазиклассического приближения изучен процесс подбарьерного прохождения друг через друга малых участков длины двух однополярных вертикальных блоховских линий (наноразмерных солнтонов типа "перегиб"), находящихся в доменной границе изолированного полосового домена, образованного в одноосной ферромагнитной пленке с сильной магнитной анизотропией. Показано, что данный эффект имеет место благодаря учету их квантовых осцилляций, возбуждаемых внешним магнитным нолем в субгелиевом диапазоне температур. Определены условия осуществления зтого явления. Установлено, что подбарьерное прохождение друг через друга двух вертикальных блоховских линий проходит в более сильных магнитных полях, чем соответствующее туннелирование их малых сегментов длины. Показано также, что увеличение магнитной анизотропии пленки приводит к уменьшению значений магнитных полей, в которых протекает данный квантовый процесс. Полученный результат представляет практический интерес в контексте создания ячейки памяти для запоминающего устройства гибридного типа бит + кубит на основе вертикальных блоховских линий.

• Шевченко Андрій Борисович (фізико-математичні науки)
• Барабаш Максим Юрійович (1977–) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"