Одержано нетипові зростаючі температурні залежності питомого опору омічних контактів Pd/Ti/Au до нітриду індію з різним рівнем легування (<$E2,0~cdot~10 sup 18> та <$E8,3~cdot~10 sup 18> см<^>-3) у широкому інтервалі температур (4,2 - 380 К). Дані залежності для різних рівнів легування пояснюються у межах механізму струмоперенесення через металеві шунти, спряжені з так званими провідними дислокаціями. В свою чергу, металеві шунти формуються за припущення, що атоми металу проникають вздовж дислокацій у тонкий приконтактний шар напівпровідника. Хорошу узгодженість між теоретичними й експериментальними залежностями одержано у разі врахування того, що протікання струму обмежується загальним опором шунтів. Розглянуто порівняння температурних залежностей питомого контактного опору у випадках осадження на дислокаціях атомів паладію або індію. При цьому густина провідних дислокацій, розрахована з теорії, добре узгоджується з густинами гвинтових і крайових дислокацій, одержаних з рентгенодифрактометричних досліджень структури.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"