За допомогою методів рентгенівської рефлектометри в жорсткій рентгенівській області (<$Elambda~=~0,154> нм) досліджено бар'єрні властивості вуглецевих шарів товщиною 0,2 - 1,3 нм у багатошарових рентгенівських дзеркалах (БРД) Sc/Si, одержаних прямоточним магнетронним розпиленням. Прецизійне вимірювання періоду надало змогу зафіксувати об'ємні зміни в БРД Sc/C/Si з точністю краще, ніж 0,01 нм, за рахунок чого встановлено взаємодію вуглецевих шарів із матеріалом матричних шарів. Виявлено формування карбідних (межі Si-на-Sc) і карбідно-силіцидних (межі Sc-на-Si) шарів. Проведено оцінку відбивної здатності дзеркал Sc/C/Si на довжині хвиль <$Elambda> ~ 46,9 нм.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"