Досліджено кристалічну та електронну структури, кінетичні, магнітні і термодинамічні характеристики термоелектричного матеріалу ZrNi1-xRhxSn у діапазонах: Т = 80 - 400 К, x = 0,005 - 0,10. Встановлено механізми одночасного генерування структурних дефектів акцепторної та донорної природи, які визначають електропровідність матеріалу, а також залежність ширини забороненої зони <$Eepsilon sub g> від концентрації Rh. Показано, що енергетично доцільним є зайняття атомами Rh (4d<^>85s<^>1) кристалографічної позиції 4с атомів Ni (3d<^>84s<^>2), що генерує структурні дефекти акцепторної природи (у Ni більше s-електронів) та акумулювання частини атомів Ni у тетраедричних пустотах структури (генерування донорів). Зроблено висновок, що експериментально встановлена донорна природа дефектів сполуки ZrNiSn ("апріорне легування") спричинена заповненням атомами Ni тетраедричних пустот, що генерує донори.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ромака Володимир Афанасійович (1955–) (технічні науки)
• Ромака Любов Петрівна (технічні науки)
• Ромака Віталій Володимирович (хімічні науки)
• Горинь Андрій Маркіянович (хімічні науки)
• Опірський Іван Романович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"