Досліджено особливості електронної та кристалічної структур термоелектричного матеріалу ZrNi1-xRhxSn, в основі яких одночасне генерування структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Показано механізм генерування структурних дефектів донорної природи та відповідної донорної зони <$Eepsilon sub D sup 2> в n-ZrNiSn як результат зайняття атомами Ni тетраедричних пустот структури (вакансій). Заміщення в ZrNi1-xRhxSn в позиції 4c атомів Ni на Rh генерує структурні дефекти акцепторної природи та породжує у забороненій зоні домішкову акцепторну зону <$Eepsilon sub A sup 1>, що разом з існуючою донорною зоною <$Eepsilon sub D sup 2> робить напівпровідник сильно легованим та сильно компенсованим. Встановлено залежність ширини забороненої зони <$Eepsilon sub g> n-ZrNiSn та ZrNi1-xRhxSn від концентрації атомів Ni у тетраедричних пустотах, а також у випадку появи вакансій у позиції 4а атомів Zr за генерування акцепторної зони <$Eepsilon sub A sup 2>.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ромака Володимир Афанасійович (1955–) (технічні науки)
• Ромака Любов Петрівна (технічні науки)
• Ромака Віталій Володимирович (хімічні науки)
• Горинь Андрій Маркіянович (хімічні науки)
• Романів Іванна Михайлівна (хімічні науки)
• Опірський Іван Романович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"