Систематизовано літературні дані щодо основних параметрів дефектів в InSb - енергії іонізації, концентрації та перерізу захоплення. Розглянуто основні механізми рекомбінації нерівноважних носіїв заряду в монокристалічному InSb. Проаналізовано роль антиструктурних дефектів у механізмі рекомбінації Шоклі - Ріда - Холла. Виконано аналіз механізмів перенесення носіїв заряду та гранично можливих параметрів інфрачервоних фотодіодів на основі InSb. Описано механізми електропровідності МДН структур на основі InSb. Визначено енергії пасток в анодному оксиді, які можуть зумовлювати механізм емісії Пула - Френкеля. Наведено результати термічного циклювання МДН структур на основі InSb.

• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)
• Ткачук Андрій Іванович (технічні науки)
• Ткачук Анна Іллівна (історичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"