Розглянуто проблему розширення діапазону функціонування діодних термосенсорів в область високих температур і наведено деякі результати досліджень авторів в даній області. Для вирішення цієї проблеми запропоновано використовувати діодні структури на основі широкозонних напівпровідникових сполук у системі A3B5. Розроблено технологічну методику виготовлення дослідних зразків високотемпературних діодних сенсорів температури на основі GaP. Запропонована методика надає можливість виготовляти зразки діодних сенсорів температури, високотемпературна межа роботи яких на <$E 200~symbol Ш~300> K перевищує межу функціонування серійних кремнієвих діодних сенсорів температури. Розроблено дослідні методики нарощування епітаксійних структур твердих розчинів AlGaAs і виготовлення на їх основі діодних сенсорів температури. Показано, що обраний підхід надає можливість розширити довжину термометричної характеристики таки діодів у високотемпературну область приблизно на <$E 150~symbol Ш~250> K. Наведено методику формування приладових структур InGaN і виготовлення дослідних зразків високотемпературних діодних сенсорів температури на їх основі. Дану методику з доробками можна застосовувати для виготовлення діодних сенсорів температури та інших приладів для високотемпературних застосувань, практично всього ряду твердих розчинів у системі InN - GaN. Досліджено параметри та характеристики одержаних діодних сенсорів температури.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Краснов Володимир Володимирович (1968–) (педагогічні науки)
• Краснов Володимир Олександрович (фізико-математичні науки)
• Краснов Василь Олександрович (технічні науки)
• Єрохін Сергій Юрійович (фізико-математичні науки)
• Деменський Олексій Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"