Проаналізовано фотолюмінесцентні спектри кристалів SiC з дефектами, що виникають під час вирощування. Показано, що дефекти упаковки та глибокі рівні люмінесцентного спектра відображають закономірності політичної структури SiC. Аналіз спектра нульових фотонів дефектів упаковки, глибоких рівнів і границь зерен в фотолюмінесцентному спектрі надає змогу контролювати процеси фазових перетворень під час вирощування кристалів та плівок, а також у разі проведення технологічних операцій. Більш того, це також надає змогу в наноструктурованому карбіді кремнію визначати положення або зсув атомів, що беруть участь у фотолюмінесценції з точністю до 0,0787 Ангстрем (або 1,075 меВ).

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"