Vlaskina S. I. Nano silicon carbide's stacking faults, deep level's and grain boundary's defects = Дефекти упаковки наноструктурованого карбіду кремнію, дефекти глибоких рівнів та границь зерен / S. I. Vlaskina, G. S. Svechnikov, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, V. V. Lytvynenko // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 5. - С. 05021-1-05021-6. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.Проаналізовано фотолюмінесцентні спектри кристалів SiC з дефектами, що виникають під час вирощування. Показано, що дефекти упаковки та глибокі рівні люмінесцентного спектра відображають закономірності політичної структури SiC. Аналіз спектра нульових фотонів дефектів упаковки, глибоких рівнів і границь зерен в фотолюмінесцентному спектрі надає змогу контролювати процеси фазових перетворень під час вирощування кристалів та плівок, а також у разі проведення технологічних операцій. Більш того, це також надає змогу в наноструктурованому карбіді кремнію визначати положення або зсув атомів, що беруть участь у фотолюмінесценції з точністю до 0,0787 Ангстрем (або 1,075 меВ). Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21 + В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|