За допомогою методу високотемпературного твердофазного синтезу одержано полікристалічні напівпровідникові матеріали (ПНМ) системи <$E2 beta - roman {Ga sub 2 O sub 3 ~-~SnO} sub 2>. Експерименти показали, що ефективність синтезу у системі <$E2 beta - roman {Ga sub 2 O sub 3 ~-~SnO} sub 2> залежить від способу одержання вихідних сполук. Дослідження поверхонь одержаних ПНМ на предмет можливого їх використання у електронних пристроях, що працюють на ефекті поля та на бар'єрах Шоткі, для яких міжфазові межі метал/напівпровідник, метал/діелектрик/напівпровідник та їх характеристики відіграють вирішальну роль. Зокрема, особливо, елементно-фазовий склад та шорсткість поверхонь ПНМ, які досліджувались адекватним набором експериментальних методів і дифракції повільних електронів (ДПЕ), X-променевої фотоелектронної спектроскопії (ХФЕС) та атомно-силової мікроскопії (ACM). Результати дослідження поверхонь ПНМ системи <$E2 beta - roman {Ga sub 2 O sub 3 ~-~SnO} sub 2> порівняно з результатами для поверхонь сколювання монокристалічних <$Ebeta - roman {Ga sub 2 O sub 3> і вказують на те, що поверхня ПМН є цілком придатною для виготовлення напівпровідникових, керованих електричним полем, пристроїв метал/напівпровідник, метал/діелектрик/напівпровідник з металевим керуючим електродом, за умови вибору відносно гладких ділянок на поверхні ПНМ.

• Галій Павло Васильович (фізико-математичні науки)
• Лучечко Андрій Петрович (фізико-математичні науки)
• Мазур Петро Володимирович (технічні науки)
• Ненчук Тарас Миколайович (фізико-математичні науки)
• Яровець Ігор Романович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"