Шамаев В. В. Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольтамперных характеристиках металлических гетероструктур / В. В. Шамаев, Е. С. Житлухина // Metallophysics and Advanced Technologies. - 2018. - 40, № 6. - С. 729-737. - Библиогр.: 14 назв. - рус.Предложен физический механизм, ответственный за возникновение участка отрицательного дифференциального сопротивления N-типа в вольтамперных характеристиках металлических гетероструктур с туннельным барьером, образованным полупроводниковой прослойкой с внедренными в нее примесными центрами. Развитая в работе теория основана на предположении о наличии в потенциальном барьере локализованных двухуровневых структур, которые определяют величину тока, протекающего через соответствующий транспортный канал. Проанализировано влияние параметров задачи на туннельный ток. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|