Самоорганізовані індієві наноструктури одержано на надвисоковакуумній поверхні сколювання (100) напівпровідникового шаруватого кристалу In4Se3. Невеликі швидкості та тривалості напорошення індію вибиралися з метою дослідження ростової орієнтації та природи наноструктур на поверхні (100) In4Se3, які вивчали за допомогою сканувальної тунельної мікроскопії (СТМ). Форма цих наноструктур безпосередньо залежить від концентрації надстехіометричного індію в розтопі під час вирощування кристалу, змінюючись від тривимірних острівців за низької концентрації до лінійних форм, тобто нанодротів, у випадку сильно легованих індієм кристалів. СТМ з високим розріжненням надає змогу встановити, що квазіперіодичні нанодроти ростуть вздовж вісі с кристалу In4Se3 на поверхні (100). За допомогою сканувальної тунельної спектроскопії з просторовим розріжненням встановлено металічну природу поверхневих наноструктур на напівпровідниковій підкладинці. Встановлено, що механізм росту напорошених наноструктур зумовлений борознистою структурою гратки на поверхні (100) кристалу In4Se3 з наявністю у ній зародків індію у концентрації, яка залежить від кількості надстехіометричного ростового індію, що інтеркалюється у міжшарову щілину.

• Мазур Петро Володимирович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"