Застосування наноелектронних приладів надзвичайно виграло від стрімкого прогресу в галузі нанотехнологій. Колосальне зменшення розмірів транзисторів надало змогу розмістити більше 100 млн транзисторів на одному чіпі, що, в свою чергу, призвело до зниження витрат, збільшення функціональності та підвищення продуктивністі інтегральних мікросхем. Проте, зменшення розміру звичайних планарних транзисторів було б надзвичайно складним через електростатичні втрати та інші виробничі питання. Польовий транзистор Fin Field Effect Transistor (FinFET) показує великий потенціал у масштабованості та технологічності як перспективний кандидат та наступник звичайних планарних відністю каналів, і, таким чином, привертає широкий інтерес дослідників як з наукової, так і з прикладної точок зору. Однак різке зменшення розмірів каналів призводить до погіршення загальної продуктивності за рахунок шкідливих ефектів короткого каналу. У даній роботі досліджено вплив зменшення розмірів каналів транзистора з германію (Ge-FinFET) на електричні характеристики транзистора, а саме на відношення ION/IOFF, підпорогове коливання, порогову напругу та індуковане стоком зниження бар'єру. MuGFET був використаний у моделюванні для досягнення оптимальних розмірів каналу, враховуючи індивідуальну довжину каналу, ширину і товщину оксиду. Крім того, було оцінено ефекти одночасного розгляду усіх вимірів, використовуючи коефіцієнт масштабування. Згідно з одержаними результатами моделювання, найкраща продуктивність Ge-FinFET була досягнена за мінімального коефіцієнта масштабування K = 0,25 з довжиною каналу 5 нм, шириною 2,5 нм і товщиною оксиду 0,625 нм.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"