На підставі вимірювань п'єзо-холл-ефекту одержано температурні залежності концентрації та холівської рухливості електронів для одновісно деформованих уздовж кристалографічних напрямків [100] і [111] монокристалів n-Ge<> і n-Ge<>. Виявлено деформаційно-індуковане зростання холівської рухливості електронів для монокристалів n-Ge<> за одновісного тиску вздовж кристалографічного напрямку [100]. Порівняння одержаних експериментальних результатів із відповідними теоретичними розрахунками температурних залежностей холівської рухливості показали, що даний ефект виникає за рахунок зменшення ймовірності розсіяння електронів на флуктуаційному потенціалі, амплітуда якого залежить від температури та величини одновісного тиску. Показано, що зростання холівської рухливості для одновісно деформованих монокристалів n-Ge<> вздовж кристалографічного напрямку [111] є незначним і спостерігається лише для одновісних тисків P << 0,28 ГПа. В даному випадку необхідно також враховувати зменшення холівської рухливості електронів за рахунок деформаційного перерозподілу електронів між долинами зони провідності германію з різною рухливістю. Для одновісно деформованих монокристалів n-Ge<> величина холівської рухливості за таких самих умов визначається лише механізмами фононного розсіяння та ефект зростання холівської рухливості за збільшення температури або величини одновісного тиску не спостерігався. Це свідчить про другорядну роль флуктуаційного потенціалу в даному випадку.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"