Рассмотрены возможности и физические принципы увеличения чувствительности фоторезисторов. Даны основные теоретические соотношения, определяющие их параметры. Показано, что основным путем увеличения чувствительности фоторезисторов является увеличение подвижности и эффективного времени жизни генерированных светом носителей заряда. Помещение фоторезистора в магнитное поле, направленное перпендикулярно электрическому току и световому потоку, увеличивает фоточувствительность в несколько раз.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"