> single crystals at electron irradiation / S. Luniov, A. Zimych, M. Khvyshchun, M. Yevsiuk, V. Maslyuk // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2018. - № 6/12. - С. 35-42. - Бібліогр.: 36 назв. - англ.

На підставі вимірювань інфрачервоної Фур'є-спектроскопії, ефекту Холла та тензохолл-ефекту встановлено природу та визначено концентрацію основних типів радіаційних дефектів у монокристалах n-Si <

>, опромінених різними потоками електронів з енергією 12 МеВ. Показано, що для досліджуваних монокристалів кремнію у процесі електронного опроміненя є досить ефективним утворення нового типу радіаційних дефектів, що належать комплексам VOiP (А-центр, модифікований домішкою фосфору). З розв'язків рівняння електронейтральності отримано залежності енергії активації для глибокого рівня E1 = EC - 0,107 еВ, що належить комплексу VOiP, від одновісного тиску вздовж кристалографічних напрямків [100] і [111]. За допомогою методу найменших квадратів одержано апроксимаційні поліноми для розрахунку даних залежностей. За орієнтації осі деформації вздовж кристалографічного напрямку [100] глибокий рівень E1 = EC - 0,107 еВ буде розщеплюватись на дві компоненти з різною енергією активації. Це пояснює нелінійні залежності енергії активації глибокого рівня E1 = EC - 0,107 еВ від одновісного тиску P <<= 0,4 ГПа. Для тисків P >> 0,4 ГПа розщеплення даного глибокого рівня буде значним і можна вважати, що глибокий рівень комплексу VOiP взаємодіятиме тільки з двома мінімумами зони провідності кремнію, а зміна енергії активації буде лінійною за деформацією. Для випадку одновісного тиску P <<= 0,4 ГПа вздовж кристалографічного напрямку [111] зміна енергії активації для комплексу VOiP описується квадратичною залежністю. Відповідно зміщення глибокого рівня E1 = EC - 0,107 еВ для даного випадку теж є квадратичною функцією за деформацією. Різні залежності енергії активації комплексу VOiP від орієнтації осі деформації відносно різних кристалографічних напрямків можуть свідчити про анізотропні характеристики даного дефекту. Встановленні особливості дефектоутворення в опромінених електронами монокристалах n-Si <

> можуть бути використані у процесі розробки на основі даних монокристалів різних приладів функціональної електроніки.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Маслюк Володимир Трохимович (фізико-математичні науки)
• Маслюк Віталій Арсеньевич (1942–) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"