Проведен краткий обзор существующих типов светодиодов с управляемым спектром излучения. Предложена конструкция светодиода на арсениде галлия с асимметричным профилем легирования типа р + -n-структуры. Для получения реального разделения спектральных полос использовано легирование р + -области кремнием, который создает акцепторный уровень с энергией активации 100 мэВ. Описан способ создания р + -n-структуры. Показано, что светодиод излучает в двух полосах спектра с энергиями максимумов 1,33 эВ и 1,42 эВ. соотношение интенсивностей спектральных полос изменяется в 7 раз при изменении плотности импульсного тока от 80 А/см<^>2 до 500 А/см<^>2. Рассмотрен физический механизм, приводящий к таким свойствам светодиода.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"