На основі теорії пружності було проведено розрахунки величин відносних деформацій, які виникають в наноплівці германію, вирощеній на підкладці Ge(x)Si(1-x) (001), залежноі від її компонентного складу. Для такої орієнтації підкладки наноплівка германію в кристалографічних напрямках [100], [010] (в площині підкладки) зазнає двохосьового стиску, а в кристалографічному напрямку [001] - одновісного розтягу. Показано, що у випадку підкладки з кремнію величини внутрішніх механічних напружень досягають 4 %. Проведені розрахунки зонної структури для напруженої наноплівки германію показали, що за збільшеня величини внутрішніх механічних напружень (за рахунок збільшення вмісту Si в підкладці) 4 мінімуми <$EDELTA sub 1> зони провідності будуть опускатися вниз, а мінімуми L1 підніматимуться вгору за шкалою енергій. При цьому валентна зона зазнає розщеплення на дві гілки, верхньою з яких стає валентна зона "важких" дірок. За вмісту Ge в підкладці менше як 60 % в енергетичному спектрі напруженої наноплівки германію найнижчими стають 4 мінімуми <$EDELTA sub 1> зони провідності. Проведені на основі теорії анізотропного розсіяння на акустичних фононах розрахунки рухливості електронів показали, що збільшення відносного вмісту германію у підкладці призводить до зростання рухливості електронів в наноплівці. Це пояснює деформаційний перерозподіл електронів між чотирма мінімумами L1 з більшою рухливістю та чотирма мінімумами <$EDELTA sub 1> з меншою рухливістю. Встановлено, що для наноплівок германію товщиною d >> 7 нм рухливість електронів не залежить від їх товщини. Одержані результати можуть бути використані під час моделювання електричних властивостей напружених наноплівок германію, на основі яких можуть бути створені різні електронні прилади сучасної наноелектроніки з прогнозованими робочими характеристиками.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"