Обговорено переваги і недоліки найбільш використовуваних на сьогоднішній день напівпровідникових матеріалів різної структурної досконалості (монокристали, полікристалічні і аморфні) для створення сонячних елементів. Особливу увагу приділено вивченню можливостей використання в якості фотоперетворювачів поверхнево-бар'єрних діодів (ПБД) на базі монокристалічного телуриду кадмію. Проаналізовано ряд технологічних способів модифікації підкладинок n-CdTe, які призводять до суттєвого покращення електричних та фотоелектричних параметрів і характеристик ПБД. Показано, що ефективність фотоперетворення ПБД на базі підкладинок з поверхневою наноструктурою (CdTe:O2) досягає 13 % при 300 К при умовах освітлення АМ2. Обговорено варіанти застосування використаних в роботі технологій для створення поверхнево-бар'єрних сонячних елементів на основі плівкового телуриду кадмію.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"